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DMN2020LSN
0.06
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5V
0.04
V GS = 1.8V
0.03
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
0.02
0.01
0
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.01
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.04
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
0.03
1.2
1.0
V GS = 4.5V
I D = 500mA
0.02
V GS = 2.5V
I D = 5A
V GS = 2.5V
0.8
0.6
0.4
I D = 150mA
0.01
0
V GS = 4.5V
I D = 10A
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.8
1.6
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.4
1.2
1.0
I D = 1mA
15
T A = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I D = 250μA
10
5
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6 0.8 1 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2020LSN
Document number: DS31946 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
August 2011
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